受此消息刺激，因美国政府制裁下跌已久的中芯国际，今天A股和港股均大幅上涨，带动A股半导体概念纷纷飘红。中芯国际A股和港股涨幅均一度接近14%，半导体设备供应商中微公司、北方华创、安集科技等涨幅也超过5%。

苏州芯动科技有限公司成立于2006年，经营范围包括研发、设计、销售：高端集成电路及其相关应用产品，并提供配套技术服务；电子设备、高端集成电路进出口。芯动科技芯动科技14年来立足中国本土，目前已实现从180nm到5nm工艺高速混合电路IP核全覆盖，且所有IP均自主可控，一站式赋能国产芯片发展。该公司提供经过批量生产验证或硅验证的IP产品，并可根据客户要求进行量身定制。 

今年2月，中芯国际联合CEO梁孟松在财报会议上首次披露，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小。

谈到具体数据，他透露，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%，所以该公司的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。 

芯动科技完成基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试的意义在于： 

其一，中芯国际向7nm芯片进军，绕开了卡脖子的EUV光刻机。 

N+1工艺与7nm工艺相比，在功能上虽然差了一点，但功耗更低。关键是，N+1工艺不需要EUV光刻机！中芯国际联合CEO梁孟松去年曾透露，该工艺在功率和稳定性方面7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机。 

在此之前，中芯国际曾向荷兰阿斯麦（ASML）订购一台EUV光刻机，用于下一代工艺制造。该光刻机价值高达1.5亿美元，原计划在2019年初交付。但在美国政府阻扰之下，这项交易至今仍未完成。中芯国际正是为了绕开卡脖子的EUV光刻机，才研发N+1工艺的。

对于外界“没有EUV光刻机就无法实现下一代工艺开发”的质疑，梁孟松提到，在当下的计划中，N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备，等到设备就绪以后，N+2才会转而使用EUV设备。 

其二，中芯国际N+1工艺体现了自主研发的实力。 

如果美国不卡脖子，中芯国际也不会投入N+1工艺的研发。如今，中芯被逼上梁山，在这样短的时间内研发出一套不需要EUV光刻机的芯片制造工艺，说明中芯是很有实力的。此外，N+1工艺还有可能创出一条不同的芯片制造工艺，中芯也许开辟了一条新的芯片制造路径。 

在一篇题为《“国产芯”突围刻不容缓》的报道中，《珠海特区报》写道：“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功，不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断，同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破。” 

需要注意的是，目前世界上可以量产7nm芯片的晶圆代工厂商，仅台积电和三星两家。IDM厂商英特尔10nm产品刚上市不久，7nm芯片可能推迟至2023年。这意味着，中芯有望在制程上赶超英特尔。

当然，中芯的N+1工艺芯片距离量产还有一定距离。所谓成功流片，就是在实验室得到性能达到指标的器件的意思。而要实现真正量产，器件的可靠性、退化机制等一些特性还需大量的数据支持和反复检验。 

事实上，流片是芯片量产前的一个必要步骤。为了测试集成电路设计是否成功，需要对芯片进行试生产，以检验电路是否具备所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地量产芯片；反之，就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。 

9月18日，中芯国际在“上证e互动”回答投资者提问时披露：“FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。”