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焦点丨三星3nm制程领先台积电一年？

硬科技评论 2022-11-14

据台湾媒体报道，三星展示了“环绕闸极”（GAA）制程技术，号称3纳米领先台积电一年。这到底是不是真的？台湾知产力专家社群创办人曲建仲介绍，场效电晶体（FET）是最基本的电子元件，电子流入再流出，由一个闸极开关控制电子导通代表1或不导通代表0，科学家将它制作在硅晶圆上，是数字信号的最小单位，一个FET代表一个0或一个1，就是电脑里的一个位数。



“制程节点”代表闸极的“平均长度”，会随制程技术的进步而变小，当缩小到14纳米以下遇到问题，因此发明了“鳍式场效电晶体（FinFET）”，但是5纳米以下又遇到问题，才出现“环绕闸极场效电晶体”。

曲建仲指出，GAA的原理很简单，就是增加闸极与电子通道的接触面积，可以增加控制效果减少漏电流。除了三星，各家晶圆厂早就在发展GAA，只是结构稍有不同，因为测试效果没有比FinFET好，良率又低，因此没有拿这个专有名词来“唬人”而已。

曲建仲强调，三星展出的“水平式”GAA和FinFET性能差异不大，这次三星讲GAA只是用专有名词来唬外行人，报导说三星想用GAA在3纳米弯道超车台积电，“只能说不是想像力太丰富，就是三星的营销比较厉害”。


来源：C114中国通信网，版权归原作者所有，如涉及版权，请联系我们删除。
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