美光官宣！已经开始量产1Znm工艺内存
近日，美光官方宣布已经开始量产1Znm工艺的16Gb DDR4内存，是第三代10nm级内存工艺，并且也是业界首次批量生产1Znm工艺产品，进度比三星还要迅速。
美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm制程的16Gb DDR4内存芯片拥有更高的密度、更强的性能以及更低的成本。但是目前美光官方并没有公布这款内存的具体数据，仅明确表示1Znm 16Gb DDR4内存相比较于前几代8Gb DDR4内存降低约40%的功耗，而性能和成本数据没有明确回答，不过可以肯定的是，更先进的制程工艺往往代表着更高的性能。
值得一提的是，在美光此前公布的产品路线图中，1Znm工艺后还会有1αnm、1βnm、1γnm工艺，所以在10nm级别产品中会有六种制造工艺，而现在恰好是研发到了第三代10nm级别的内存。此外，美光还表示将批量出货业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，并且基于UFS的多芯片封装：uMCP，可以满足业界中对低功耗、小封装的需求。
目前美光尚未公布这款内存的具体上市时间，而美光在DRAM市场的主要竞争对手三星也在去年春季宣布称，将在今年下半年开始生产1Znm工艺8Gb DDR4模块，而可能正是因为这个原因，导致美光加速生产自己的1Znm产品，从而更快占领相关市场份额。
另外，美光去年也开始已经扩建他们新加坡的Fab 10工厂，扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换，并且保持和现在一样的晶圆产量，上周他们举办了Fab 10 Expansion的开幕仪式，新建的无尘工作时能够生产更多堆叠层数，存储密度更大的闪存。
美光Fab 10 Expansion是由原来的Fab 10N和Fab 10X所组成的，根据官方的数据，厂房占地面积165000平方米，不过美光并们没有透露无尘厂房面积，以及有没有扩建别的东西。现在新厂房正在进行设备安装，预计今年内心的厂房就可以生产96层堆叠的3D NAND，他们只要求产能与现在一样，符合市场对闪存的需求就可以了，并不会增加产能。
随着3D NAND堆叠层数的增加，每个晶圆必须在化学气相沉积机器中花费更多的时间，这意味着蚀刻它们需要更多的时间，这意味着如果想新工艺的闪存维持和现有一样的产量就必须在无尘厂房中配备更多多的CVD和蚀刻机，所以美光需要扩建厂房来维持闪存产量，当然了闪存晶圆的产量虽然没变，但是生产出来的闪存容量就要大得多了。
除了扩建新的厂房外，美光还扩大了他们在新加坡的研发业务，他们的NAND Center of Excellence将进行技术开发与产品工程，希望以此提高Fab 10的产量和生产效率。
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