存储行业深度报告：周期弹性将现，“算力+”拓展边际空

（报告出品：中银证券）

供需平衡带动价格止跌，存储周期反转在即

存储是最能反映半导体景气度的细分品种

存储芯片隶属于半导体大类中集成电路的范畴。半导体可分为分离器件、光电子、传感器和集成电 路四大类。其中，集成电路是半导体中占比最高的产品类型，2022 年其市场规模达 4799.88 亿美元， 约占整个半导体市场规模的 82.74%，集成电路包括模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片 等四种类型芯片。存储芯片（Memory Chip）是一种用于数据存储和读取的电子器件，其由一系列存储单元组成，每 个存储单元可以存储一个或多个比特的数据。存储芯片包括一旦断电储存的数据就会丢失的易失性 存储（RAM），以及断电后不影响保存数据的非易失性存储（ROM）。其中，RAM 按照是否需要 刷新分为 SRAM 和 DRAM（需要刷新），DRAM 按应用场景的不同分为 DDR 以及 LPDDR；ROM 芯片中最为常见的是 Flash，其按照不同的存储结构分为基于页的 NAND Flash 以及基于字节的 NOR Flash，NAND Flash 按应用场景不同又分为嵌入式存储、固态硬盘 SSD 以及移动存储等。DRAM、 NAND 是目前全球最主要的存储器，根据 ICInsights 的数据显示，2021 年全球 DRAM\NAND\NOR 营收占比分别为 56%\41%\2%。目前存储芯片被广泛应用于各种电子设备和系统中，例如个人电脑、智能手机、数码相机、游戏机、 汽车电子、物联网设备等。

存储芯片在集成电路中占比较高。根据 WSTS 数据，2021、2022 年，存储芯片在集成电路销售额中 占比 33.23%、28.00%，同时预测 2023 年全年集成电路销售额将达到 4530.41 亿美元，其中存储产品 销售额达 1116.24 亿美元，占比 24.64%，在半导体市场遇冷的大环境下，仍旧占比较高。据 Yole 预测数据，存储 21-27 年 CAGR 达到 8%，至 2027 年，存储市场规模有望达到 2630 亿美元。

存储芯片市场弹性较强，将有望引来上行周期。存储芯片大宗商品属性较强，标准化程度高，故其 可替代性较强、价格对下游市场需求较为敏感，因此存储芯片的周期波动往往高于半导体行业的整 体周期波动，在整体行业处于下行周期时，存储市场往往会受到更高的冲击，而相应地若处于从低 谷持续回暖的上行周期，存储芯片市场也将会相对受益更多；同时，根据过去的历史规律，存储芯 片下跌周期往往不超 3 年，而目前存储市场景气度下行已持续近两年半，我们预计其有望很快迎来 上行周期，根据 WSTS 的预测，存储 2023-2024 年市场规模为 840.4 亿美元和 1203.3 亿美元，分别 同比-35%，+43%。

多维度论证存储周期底部已至

我们将从价格、库存、供给、需求四个角度来论述存储周期底部已至。①价格端，分为回溯存储芯 片历史价格周期与预测存储芯片短期价格波动两部分论证其价格走向；②库存端，由于处于不同的 市场周期，厂商会有不同的备货策略，通过分析存储龙头企业的库存水位及其变化，可以大致判断 未来短期市场周期变动；③供给端，通过分析存储原厂的产能利用率以及 CAPEX 判断未来存储芯 片市场的供给情况，从而分析对价格的影响；④需求端，通过分析存储芯片主要下游应用领域景气 度的大致变化，判断对上游存储市场的作用效力。

价格

回溯 DRAM 价格周期。主流颗粒 DDR4 - 4Gb - 512Mx8 2133/2400 MHz、DDR4 - 8Gb - 1Gx8 2133/2400 MHz、DDR3 - 4Gb - 512Mx8 1333/1600 MHz 现货平均价自 2022 年初便一路下跌至近两年 来价格谷底，目前下跌速度趋缓，我们预计仍将有一段时间的下跌，但下降空间不大。其中以 DDR4 - 4Gb - 512Mx8 2133/2400 MHz 为例，目前该颗粒现货价格 1 美金，而在去年同一时间点的价格约为 2.28 美金。

回溯 NAND Flash 价格周期。NAND Flash 经过了 2021 年开始的相对高点之后，目前也处于下跌周 期，周期长度与 DRAM 基本重合。代表性颗粒 128\256\512Gb TLC wafer 价格均处于近两年低谷， 如 512Gb TLC Wafer 现货目前平均价仅为 1.40 美金。我们预计，相比 DRAM，NAND 有望先迎来 价格上行。

23Q3DRAM、NAND 产品均价继续下跌但跌幅预计减少，NAND Flash Wafer 产品均价有望上涨。对于短期内 DRAM 和 NAND 芯片的价格变动，参考 TrendForce 对 3Q23 产品价格的预估：①DRAM 方面，受益于 DRAM 供应商陆续启动减产，以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力， 预期 23Q3DRAM 均价跌幅将会收敛至 0~5%，其中 PC DRAM、Server DRAM、Moblie DRAM、 Graphics DRAM、Consumer DRAM 的 23Q3 均价均预计环比下跌 0~5%；②NAND Flash 方面，同样受惠于原厂减产幅度持续扩大，与季节性旺季需求支撑，预估 23Q3 整体 NAND Flash 均价下跌收敛至 3~8%，其中 NAND Flash Wafer 均价预估将率先上涨，环比增长 0~5%；eMMC、UFS，其合约均价预计跌幅仍有约 8~13%；Enterprise SSD 均价跌幅将收敛至 5~10%；Client SSD 均价将环比下跌 8~13%。

库存

对比海外存储大厂海力士与美光的库存，自 22 年初水位一直增长，反应过去存储一直处于下行周期， 目前海力士库存水位增速放缓，其周转天数已达峰，23Q2 有望看到好转；美光 FY23Q2 存货、存货 周转天数水平较 FY22Q4 均有所下行，公司在 FY23Q3 法说会也公开表明其客户库存正在改善：除 数据中心外，美光的其他终端市场的库存接近正常水平，数据中心的客户库存预计在今年年底或往 后不久也会有所改善。美光 FY23Q3 指的是公司 2023 年 2 月-5 月的经营季度，对应了三星、海力士 一部分的 FY23Q2 的财务情况，因此从美光的指引来看三星、海力士 FY23Q2 的库存水位很有可能 看到好转的迹象。同时，近日三星突然在非常规的人事季节更换 DRAM 部门负责人，与其上半年存 储半导体表现低迷亦有关联。我们判断，海外存储大厂的库存水位与库存周转天数的变化是目前存 储行业已触底的积极信号。

供给

供给方面，低迷的市场表现和严重的亏损影响着各大存储芯片厂商，为及时调整库存和减少供应过 剩带来的负面影响如降价等，三星、SK 海力士、美光、铠侠、西部数据等大厂纷纷于半年内宣布大 幅减产、缩减资本支出。根据美光 FY23Q3 法说会信息，其近期将 DRAM 和 NAND 晶圆开工率进 一步减少至接近 30%，预计减产将持续到 2024 年，这或也将对应三星、海力士等存储大厂 FY23Q2 的晶圆开工率情况。在大厂纷纷减产影响下，存储市场的供给将会持续减少以应对当前客户足量的库和下游萎靡的需求， 最终驱动供求关系稳定地趋于平衡，存储芯片价格将会止跌。

需求

根据 IC Insights 数据，2021 年 NAND flash 和 DRAM 占存储芯片市场份额近 97%，因此 NAND Flash 和 DRAM 的下游需求结构能够反映存储芯片主要下游应用。根据 Trendforce 与华经产业研究院的相 关数据，智能手机分别占到 NAND Flash 和 DRAM 下游应用的 40%左右，服务器分别占 23%和 34%， 笔电分别占 21%和 13%。

以下将从智能手机、笔电、服务器三类下游应用的市场规模及趋势进行需求端的分析。自 2017 年开始，全球智能手机开始呈现下降趋势，经济疲软和通货膨胀等后疫情宏观因素使得消费 复苏不如预期，IDC 预测 2023 年全球智能手机出货量将下降 3.2%。但同时 IDC 也释放出积极信号， 全球智能手机市场将有望于 2024 年实现良好复苏，预计出货量将增长 6%，未来 4 年市场也将呈持 续增长趋势。

笔电市场在经过几季度的低迷后有望立即反弹。根据 TrendForce 数据，全球笔电市场将于 23Q2 实 现快速复苏并持续增长，23Q2 全球笔电出货量将达 40.5 百万台，同比增长 15.7%，到 23Q4 出货量 将增长到 44.7 百万台。我们认为，笔电市场的复苏或将带动其余品类的消费电子产品景气度上行， 从而多重需求驱动存储芯片市场的增长。同时，笔电代工厂广达受惠于笔电需求转好的季底拉货效 应展现强大动能，6 月营收破 900 亿元新台币大关，纬创、英业达业绩 6 月营收也同比走高。

全球服务器出货量过去十年一直呈现增长趋势，由于宏观经济因素，IDC 预计 2023 出货量增速将下 滑，2024 年有望重回稳健增长轨道。同时，行业整体呈现出 AI 服务器等高算力型号渗透率增长超 过传统型号的趋势，预计 2023-2026 年 AI 服务器渗透率 CAGR 将达到 26.05%，且由于 AI 服务器对 软硬件要求高，对上游部件价值量起到的增长作用将远超传统服务器。

供应链瓶颈仍在，存储国产化是关键一环

目前我国的半导体产业正蓬勃发展，但仍有一些卡脖子的环节，如产业链上游的半导体设备（如光 刻机）与原材料（如湿化学品）、晶圆制造以及芯片设计环节，在芯片设计中存储芯片产业链便是 目前国家布局半导体行业中需要着重攻克的领域。半导体产业链存储芯片行业产业链上游参与者为原材料供应商和设备供应商；行业中游为存储芯片 制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和销售。芯片具有较高技术壁垒，当前全球存储芯片市场 被韩国、日本、美国企业所占据；行业产业链下游参与者为消费电子、信息通信、高新科技技术和 汽车电子等应用领域内的企业。

存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。虽然中国本土 长江存储、合肥长鑫等存储芯片企业已逐步完善 NAND 和 DRAM 产业布局，技术已经追赶上国际 巨头并进行规模量产，但也有部分等细分领域仍处于投产初期，尚未实现产品的规模量产。与国外 存储芯片制造商相比，中国存储芯片技术基础薄弱为制约行业发展的主要因素。

从三大产品看国内存储产业链布局现状

DRAM

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议）

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